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PhotoMos HE DIP8 1a1b

低导通电阻和经济性两者兼备的1a1b型

特点:

l 负载电压：400V

l 低导通电阻（typ.11Ω

l 耐电压 1,500V AC

l 输出构成：1a1b

用途:

l 安防设备

l 电话设备

l 数据通信设备

l 传感器设备

*不支持车载用途

订货产品号:

相关电路:

动作/复位时间:

建议动作条件:

建议在下列条件下使用，以获得预期的性能

封装:

外形尺寸图:

安装脚位图:

2022/08/25

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