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C1608X5R1V475KT000E

PhotoMos HE DIP6 1b 介绍

 低导通电阻和经济性兼备的1b

特点:

l  负载电压250V400V

l  低导通电阻(typ. 5.5AQV453

l  耐电压:备有5000V AC加强绝缘型

l  输出构成:1b

用途:

l  安防设备

l  测量仪器

l  电话设备

l  传感器设备

 

*不支持车载用途

 

 

订货产品号:

 

相关电路:

 

动作/复位时间:

 

建议动作条件:

 

建议在下列条件下使用,以获得预期的性能

 

封装:

 

外形尺寸图:

 

 

安装脚位图:

 

 

                                                                                                                                                                                                                                          2022/10/27